خانه
محصولات
تولیدکنندگان
درباره DiGi
با ما تماس بگیرید
وبلاگها و پستها
استعلام/نقل قول
Iran
ورود
زبان انتخابی
زبان جاری انتخابی شما
Iran
تبدیل:
انگلیسی
اروپا
بریتانیا
فرانسه
اسپانیا
ترکیه
مولدووا
لیتوانی
نروژ
آلمان
پرتغال
اسلواکی
ltaly
فنلاند
روسی
بلغارستان
دانمارک
استونی
لهستان
اوکراين
اسلوونی
چک
یونانی
کرواسی
اسرائیل
صربستان
بيلوروسي
هلند
سوئد
مونته نگرو
باسک
ایسلند
بوسنی
مجارستانی
رومانی
اتریش
بلژیک
ایرلند
آسیا / اقیانوسیه
چین
ویتنام
اندونزی
تایلند
لائوس
فیلیپینی
مالزی
کره
ژاپن
هنگ کنگ
تایوان
سنگاپور
پاکستان
عربستان سعودی
قطر
کویت
کامبوج
میانمار
آفریقا، هند و خاورمیانه
امارات متحده عربی
تاجیکستان
ماداگاسکار
هند
ایران
جمهوری دموکراتیک کنگو
آفریقای جنوبی
مصر
کنیا
تانزانیا
غنا
سنگال
مراکش
تونس
آمریکای جنوبی / اقیانوسیه
نیوزیلند
آنگولا
برزیل
موزامبیک
پرو
کلمبیا
شیلی
ونزوئلا
اکوادور
بولیوی
اروگوئه
آرژانتین
پاراگوئه
استرالیا
آمریکای شمالی
ایالات متحده
هائیتی
کانادا
کاستاریکا
مکزیک
درباره DiGi
درباره ما
درباره ما
گواهینامههای ما
DiGi مقدمه
چرا DiGi
سیاست
سیاست کیفیت
شرایط استفاده
مطابقت با RoHS
فرآیند بازگشت
منابع
دسته بندی محصولات
تولیدکنندگان
وبلاگها و پستها
خدمات
ضمانت کیفیت
روش پرداخت
حمل و نقل جهانی
نرخ های حمل و نقل
سوالات متداول
شماره محصول سازنده:
IPW60R125P6XKSA1
Product Overview
تولید کننده:
Infineon Technologies
شماره قطعه:
IPW60R125P6XKSA1-DG
توضیحات:
MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
شرح مفصل:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 219W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
موجودی:
استعلام قیمت آنلاین
12804111
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
*
شرکت
*
نام تماس
*
تلفن
*
ایمیل
آدرس تحویل
پیام
p
9
2
P
(
*
) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال
IPW60R125P6XKSA1 مشخصات فنی
دستهبندی
ترانزیستورهای اثر میدان، MOSFETها, ترانزیستورهای تک، مو سفت
تولید کننده
Infineon Technologies
بسته بندی
Tube
سری
CoolMOS™ P6
وضعیت محصول
Active
نوع FET
N-Channel
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع جلدtage (Vdss)
600 V
جریان - تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 °C
30A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
10V
Rds روشن (حداکثر) @ شناسه، Vgs
125mOhm @ 11.6A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه
4.5V @ 960µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (حداکثر)
±20V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
2660 pF @ 100 V
ویژگی FET
-
اتلاف برق (حداکثر)
219W (Tc)
دمای عملیاتی
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب
Through Hole
بسته دستگاه تامین کننده
PG-TO247-3
بسته بندی / مورد
TO-247-3
شماره محصول پایه
IPW60R125
برگ اطلاعات و مستندات
برگههای اطلاعاتی
IPW60R125P6XKSA1
برگه داده HTML
IPW60R125P6XKSA1-DG
برگه های داده
IPW60R125P6, IPP60R125P6, IPA60R125P6
اطلاعات بیشتر
نام های دیگر
ROCINFIPW60R125P6XKSA1
SP001114656
2156-IPW60R125P6XKSA1
بسته استاندارد
30
طبقهبندی زیستمحیطی و صادرات
وضعیت RoHS
ROHS3 Compliant
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
1 (Unlimited)
وضعیت REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
مدلهای جایگزین
شماره قسمت
TK28N65W,S1F
تولیدکننده
Toshiba Semiconductor and Storage
تعداد موجود
30
DiGi شماره قطعه
TK28N65W,S1F-DG
قیمت واحد
2.69
نوع جایگزین
MFR Recommended
شماره قسمت
STW30N65M5
تولیدکننده
STMicroelectronics
تعداد موجود
573
DiGi شماره قطعه
STW30N65M5-DG
قیمت واحد
3.03
نوع جایگزین
MFR Recommended
شماره قسمت
IXTH32N65X
تولیدکننده
IXYS
تعداد موجود
0
DiGi شماره قطعه
IXTH32N65X-DG
قیمت واحد
5.96
نوع جایگزین
MFR Recommended
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
IPD65R1K4C6ATMA1
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO252-3
IPS060N03LGAKMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
IPB029N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
IRF6633ATRPBF
MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET