خانه
محصولات
تولیدکنندگان
درباره DiGi
با ما تماس بگیرید
وبلاگها و پستها
استعلام/نقل قول
Iran
ورود
زبان انتخابی
زبان جاری انتخابی شما
Iran
تبدیل:
انگلیسی
اروپا
بریتانیا
فرانسه
اسپانیا
ترکیه
مولدووا
لیتوانی
نروژ
آلمان
پرتغال
اسلواکی
ltaly
فنلاند
روسی
بلغارستان
دانمارک
استونی
لهستان
اوکراين
اسلوونی
چک
یونانی
کرواسی
اسرائیل
صربستان
بيلوروسي
هلند
سوئد
مونته نگرو
باسک
ایسلند
بوسنی
مجارستانی
رومانی
اتریش
بلژیک
ایرلند
آسیا / اقیانوسیه
چین
ویتنام
اندونزی
تایلند
لائوس
فیلیپینی
مالزی
کره
ژاپن
هنگ کنگ
تایوان
سنگاپور
پاکستان
عربستان سعودی
قطر
کویت
کامبوج
میانمار
آفریقا، هند و خاورمیانه
امارات متحده عربی
تاجیکستان
ماداگاسکار
هند
ایران
جمهوری دموکراتیک کنگو
آفریقای جنوبی
مصر
کنیا
تانزانیا
غنا
سنگال
مراکش
تونس
آمریکای جنوبی / اقیانوسیه
نیوزیلند
آنگولا
برزیل
موزامبیک
پرو
کلمبیا
شیلی
ونزوئلا
اکوادور
بولیوی
اروگوئه
آرژانتین
پاراگوئه
استرالیا
آمریکای شمالی
ایالات متحده
هائیتی
کانادا
کاستاریکا
مکزیک
درباره DiGi
درباره ما
درباره ما
گواهینامههای ما
DiGi مقدمه
چرا DiGi
سیاست
سیاست کیفیت
شرایط استفاده
مطابقت با RoHS
فرآیند بازگشت
منابع
دسته بندی محصولات
تولیدکنندگان
وبلاگها و پستها
خدمات
ضمانت کیفیت
روش پرداخت
حمل و نقل جهانی
نرخ های حمل و نقل
سوالات متداول
شماره محصول سازنده:
IPP60R520CPXKSA1
Product Overview
تولید کننده:
Infineon Technologies
شماره قطعه:
IPP60R520CPXKSA1-DG
توضیحات:
MOSFET N-CH 650V 6.8A TO220-3
شرح مفصل:
N-Channel 650 V 6.8A (Tc) 66W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
موجودی:
استعلام قیمت آنلاین
12805515
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
*
شرکت
*
نام تماس
*
تلفن
*
ایمیل
آدرس تحویل
پیام
V
t
u
s
(
*
) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال
IPP60R520CPXKSA1 مشخصات فنی
دستهبندی
ترانزیستورهای اثر میدان، MOSFETها, ترانزیستورهای تک، مو سفت
تولید کننده
Infineon Technologies
بسته بندی
-
سری
CoolMOS™
وضعیت محصول
Obsolete
نوع FET
N-Channel
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع جلدtage (Vdss)
650 V
جریان - تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 °C
6.8A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
10V
Rds روشن (حداکثر) @ شناسه، Vgs
520mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه
3.5V @ 340µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (حداکثر)
±20V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
630 pF @ 100 V
ویژگی FET
-
اتلاف برق (حداکثر)
66W (Tc)
دمای عملیاتی
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب
Through Hole
بسته دستگاه تامین کننده
PG-TO220-3
بسته بندی / مورد
TO-220-3
شماره محصول پایه
IPP60R
برگ اطلاعات و مستندات
برگههای اطلاعاتی
IPP60R520CPXKSA1
برگه داده HTML
IPP60R520CPXKSA1-DG
برگه های داده
IPP60R520CP
اطلاعات بیشتر
نام های دیگر
IPP60R520CP-DG
IPP60R520CP
SP000405860
بسته استاندارد
500
طبقهبندی زیستمحیطی و صادرات
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
1 (Unlimited)
وضعیت REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
مدلهای جایگزین
شماره قسمت
STP13NK60Z
تولیدکننده
STMicroelectronics
تعداد موجود
770
DiGi شماره قطعه
STP13NK60Z-DG
قیمت واحد
1.07
نوع جایگزین
MFR Recommended
شماره قسمت
STP13N65M2
تولیدکننده
STMicroelectronics
تعداد موجود
0
DiGi شماره قطعه
STP13N65M2-DG
قیمت واحد
0.76
نوع جایگزین
MFR Recommended
شماره قسمت
STP14N80K5
تولیدکننده
STMicroelectronics
تعداد موجود
0
DiGi شماره قطعه
STP14N80K5-DG
قیمت واحد
1.69
نوع جایگزین
MFR Recommended
شماره قسمت
IRF610LPBF
تولیدکننده
Vishay Siliconix
تعداد موجود
0
DiGi شماره قطعه
IRF610LPBF-DG
قیمت واحد
0.72
نوع جایگزین
MFR Recommended
شماره قسمت
STP10N60M2
تولیدکننده
STMicroelectronics
تعداد موجود
990
DiGi شماره قطعه
STP10N60M2-DG
قیمت واحد
0.51
نوع جایگزین
MFR Recommended
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
IRLZ44NSPBF
MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK
IRFB7434GPBF
MOSFET N CH 40V 195A TO220AB
IPB65R110CFDAATMA1
MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK
IPI45N06S4L08AKSA3
MOSFET N-CHANNEL_55/60V