خانه
محصولات
تولیدکنندگان
درباره DiGi
با ما تماس بگیرید
وبلاگها و پستها
استعلام/نقل قول
Iran
ورود
زبان انتخابی
زبان جاری انتخابی شما
Iran
تبدیل:
انگلیسی
اروپا
بریتانیا
فرانسه
اسپانیا
ترکیه
مولدووا
لیتوانی
نروژ
آلمان
پرتغال
اسلواکی
ltaly
فنلاند
روسی
بلغارستان
دانمارک
استونی
لهستان
اوکراين
اسلوونی
چک
یونانی
کرواسی
اسرائیل
صربستان
بيلوروسي
هلند
سوئد
مونته نگرو
باسک
ایسلند
بوسنی
مجارستانی
رومانی
اتریش
بلژیک
ایرلند
آسیا / اقیانوسیه
چین
ویتنام
اندونزی
تایلند
لائوس
فیلیپینی
مالزی
کره
ژاپن
هنگ کنگ
تایوان
سنگاپور
پاکستان
عربستان سعودی
قطر
کویت
کامبوج
میانمار
آفریقا، هند و خاورمیانه
امارات متحده عربی
تاجیکستان
ماداگاسکار
هند
ایران
جمهوری دموکراتیک کنگو
آفریقای جنوبی
مصر
کنیا
تانزانیا
غنا
سنگال
مراکش
تونس
آمریکای جنوبی / اقیانوسیه
نیوزیلند
آنگولا
برزیل
موزامبیک
پرو
کلمبیا
شیلی
ونزوئلا
اکوادور
بولیوی
اروگوئه
آرژانتین
پاراگوئه
استرالیا
آمریکای شمالی
ایالات متحده
هائیتی
کانادا
کاستاریکا
مکزیک
درباره DiGi
درباره ما
درباره ما
گواهینامههای ما
DiGi مقدمه
چرا DiGi
سیاست
سیاست کیفیت
شرایط استفاده
مطابقت با RoHS
فرآیند بازگشت
منابع
دسته بندی محصولات
تولیدکنندگان
وبلاگها و پستها
خدمات
ضمانت کیفیت
روش پرداخت
حمل و نقل جهانی
نرخ های حمل و نقل
سوالات متداول
شماره محصول سازنده:
IPP042N03LGXKSA1
Product Overview
تولید کننده:
Infineon Technologies
شماره قطعه:
IPP042N03LGXKSA1-DG
توضیحات:
MOSFET N-CH 30V 70A TO220-3
شرح مفصل:
N-Channel 30 V 70A (Tc) 79W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
موجودی:
238 تعداد قطعات جدید اورجینال در انبار
12804025
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
*
شرکت
*
نام تماس
*
تلفن
*
ایمیل
آدرس تحویل
پیام
w
I
4
y
(
*
) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال
IPP042N03LGXKSA1 مشخصات فنی
دستهبندی
ترانزیستورهای اثر میدان، MOSFETها, ترانزیستورهای تک، مو سفت
تولید کننده
Infineon Technologies
بسته بندی
Tube
سری
OptiMOS™
وضعیت محصول
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع جلدtage (Vdss)
30 V
جریان - تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 °C
70A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
4.5V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ شناسه، Vgs
4.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه
2.2V @ 250µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (حداکثر)
±20V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
3900 pF @ 15 V
ویژگی FET
-
اتلاف برق (حداکثر)
79W (Tc)
دمای عملیاتی
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع نصب
Through Hole
بسته دستگاه تامین کننده
PG-TO220-3
بسته بندی / مورد
TO-220-3
شماره محصول پایه
IPP042
برگ اطلاعات و مستندات
برگههای اطلاعاتی
IPP042N03LGXKSA1
برگه داده HTML
IPP042N03LGXKSA1-DG
اطلاعات بیشتر
نام های دیگر
IPP042N03LGIN-DG
IPP042N03LGIN
IPP042N03L G
IPP042N03LGXK
SP000680792
IFEINFIPP042N03LGXKSA1
IPP042N03LG
2156-IPP042N03LGXKSA1
بسته استاندارد
50
طبقهبندی زیستمحیطی و صادرات
وضعیت RoHS
ROHS3 Compliant
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
1 (Unlimited)
وضعیت REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
مدلهای جایگزین
شماره قسمت
PSMN4R3-30PL,127
تولیدکننده
Nexperia USA Inc.
تعداد موجود
4699
DiGi شماره قطعه
PSMN4R3-30PL,127-DG
قیمت واحد
0.72
نوع جایگزین
MFR Recommended
شماره قسمت
PSMN3R4-30PL,127
تولیدکننده
Nexperia USA Inc.
تعداد موجود
7994
DiGi شماره قطعه
PSMN3R4-30PL,127-DG
قیمت واحد
0.82
نوع جایگزین
MFR Recommended
شماره قسمت
PSMN2R0-30PL,127
تولیدکننده
Nexperia USA Inc.
تعداد موجود
9215
DiGi شماره قطعه
PSMN2R0-30PL,127-DG
قیمت واحد
1.11
نوع جایگزین
MFR Recommended
شماره قسمت
FDP8030L
تولیدکننده
Fairchild Semiconductor
تعداد موجود
6859
DiGi شماره قطعه
FDP8030L-DG
قیمت واحد
4.70
نوع جایگزین
MFR Recommended
شماره قسمت
IRL7833PBF
تولیدکننده
Infineon Technologies
تعداد موجود
518
DiGi شماره قطعه
IRL7833PBF-DG
قیمت واحد
0.71
نوع جایگزین
MFR Recommended
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
IPD80R450P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 11A TO252
IRF6603
MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
SPA20N65C3XKSA1
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO220-3
IPT012N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 240A 8HSOF