خانه
محصولات
تولیدکنندگان
درباره DiGi
با ما تماس بگیرید
وبلاگها و پستها
استعلام/نقل قول
Iran
ورود
زبان انتخابی
زبان جاری انتخابی شما
Iran
تبدیل:
انگلیسی
اروپا
بریتانیا
فرانسه
اسپانیا
ترکیه
مولدووا
لیتوانی
نروژ
آلمان
پرتغال
اسلواکی
ltaly
فنلاند
روسی
بلغارستان
دانمارک
استونی
لهستان
اوکراين
اسلوونی
چک
یونانی
کرواسی
اسرائیل
صربستان
بيلوروسي
هلند
سوئد
مونته نگرو
باسک
ایسلند
بوسنی
مجارستانی
رومانی
اتریش
بلژیک
ایرلند
آسیا / اقیانوسیه
چین
ویتنام
اندونزی
تایلند
لائوس
فیلیپینی
مالزی
کره
ژاپن
هنگ کنگ
تایوان
سنگاپور
پاکستان
عربستان سعودی
قطر
کویت
کامبوج
میانمار
آفریقا، هند و خاورمیانه
امارات متحده عربی
تاجیکستان
ماداگاسکار
هند
ایران
جمهوری دموکراتیک کنگو
آفریقای جنوبی
مصر
کنیا
تانزانیا
غنا
سنگال
مراکش
تونس
آمریکای جنوبی / اقیانوسیه
نیوزیلند
آنگولا
برزیل
موزامبیک
پرو
کلمبیا
شیلی
ونزوئلا
اکوادور
بولیوی
اروگوئه
آرژانتین
پاراگوئه
استرالیا
آمریکای شمالی
ایالات متحده
هائیتی
کانادا
کاستاریکا
مکزیک
درباره DiGi
درباره ما
درباره ما
گواهینامههای ما
DiGi مقدمه
چرا DiGi
سیاست
سیاست کیفیت
شرایط استفاده
مطابقت با RoHS
فرآیند بازگشت
منابع
دسته بندی محصولات
تولیدکنندگان
وبلاگها و پستها
خدمات
ضمانت کیفیت
روش پرداخت
حمل و نقل جهانی
نرخ های حمل و نقل
سوالات متداول
شماره محصول سازنده:
IPF014N08NF2SATMA1
Product Overview
تولید کننده:
Infineon Technologies
شماره قطعه:
IPF014N08NF2SATMA1-DG
توضیحات:
TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
شرح مفصل:
N-Channel 80 V 282A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-14
موجودی:
1166 تعداد قطعات جدید اورجینال در انبار
12997374
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
*
شرکت
*
نام تماس
*
تلفن
*
ایمیل
آدرس تحویل
پیام
d
M
Q
T
(
*
) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال
IPF014N08NF2SATMA1 مشخصات فنی
دستهبندی
ترانزیستورهای اثر میدان، MOSFETها, ترانزیستورهای تک، مو سفت
تولید کننده
Infineon Technologies
بسته بندی
Tape & Reel (TR)
سری
StrongIRFET™ 2
وضعیت محصول
Active
نوع FET
N-Channel
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع جلدtage (Vdss)
80 V
جریان - تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 °C
282A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
6V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ شناسه، Vgs
1.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه
3.8V @ 267µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs
255 nC @ 10 V
Vgs (حداکثر)
±20V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
12000 pF @ 40 V
ویژگی FET
-
اتلاف برق (حداکثر)
300W (Tc)
دمای عملیاتی
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع نصب
Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده
PG-TO263-7-14
بسته بندی / مورد
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
شماره محصول پایه
IPF014N
برگ اطلاعات و مستندات
برگههای اطلاعاتی
IPF014N08NF2SATMA1
برگه داده HTML
IPF014N08NF2SATMA1-DG
برگه های داده
IPF014N08NF2S
اطلاعات بیشتر
نام های دیگر
448-IPF014N08NF2SATMA1TR
448-IPF014N08NF2SATMA1DKR
448-IPF014N08NF2SATMA1CT
SP005578878
بسته استاندارد
800
طبقهبندی زیستمحیطی و صادرات
وضعیت RoHS
ROHS3 Compliant
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
1 (Unlimited)
وضعیت REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
PJMD900N60EC_L2_00001
600V SUPER JUNCITON MOSFET
FBG20N18BC
GAN FET HEMT200V18A COTS 4FSMD-B
R6524KNXC7G
650V 24A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
SQA405CEJW-T1_GE3
AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)