شماره محصول سازنده:
IPAN60R650CEXKSA1
Product Overview
تولید کننده:
Infineon Technologies
شماره قطعه:
IPAN60R650CEXKSA1-DG
توضیحات:
MOSFET N-CH 600V 9.9A TO220
شرح مفصل:
N-Channel 600 V 9.9A (Tc) 28W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
موجودی:
12848044
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
حداقل ۱
56YV
(*) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال
IPAN60R650CEXKSA1 مشخصات فنی
دسته‌بندی
ترانزیستورهای اثر میدان، MOSFETها, ترانزیستورهای تک، مو سفت
تولید کننده
Infineon Technologies
بسته بندی
Tube
سری
CoolMOS™
وضعیت محصول
Active
نوع FET
N-Channel
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع جلدtage (Vdss)
600 V
جریان - تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 °C
9.9A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
10V
Rds روشن (حداکثر) @ شناسه، Vgs
650mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه
3.5V @ 200µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs
20.5 nC @ 10 V
Vgs (حداکثر)
±20V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
440 pF @ 100 V
ویژگی FET
-
اتلاف برق (حداکثر)
28W (Tc)
دمای عملیاتی
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب
Through Hole
بسته دستگاه تامین کننده
PG-TO220-FP
بسته بندی / مورد
TO-220-3 Full Pack
شماره محصول پایه
IPAN60
برگ اطلاعات و مستندات
اطلاعات بیشتر
نام های دیگر
SP001508816
IFEINFIPAN60R650CEXKSA1
2156-IPAN60R650CEXKSA1
بسته استاندارد
500
طبقه‌بندی زیست‌محیطی و صادرات
وضعیت RoHS
ROHS3 Compliant
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
Not Applicable
وضعیت REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
FQB6N60CTM
MOSFET N-CH 600V 5.5A D2PAK
FDS3692
MOSFET N-CH 100V 4.5A 8SOIC
FDMC2674
MOSFET N-CH 220V 1A/7A 8MLP
