خانه
محصولات
تولیدکنندگان
درباره DiGi
با ما تماس بگیرید
وبلاگها و پستها
استعلام/نقل قول
Iran
ورود
زبان انتخابی
زبان جاری انتخابی شما
Iran
تبدیل:
انگلیسی
اروپا
بریتانیا
فرانسه
اسپانیا
ترکیه
مولدووا
لیتوانی
نروژ
آلمان
پرتغال
اسلواکی
ltaly
فنلاند
روسی
بلغارستان
دانمارک
استونی
لهستان
اوکراين
اسلوونی
چک
یونانی
کرواسی
اسرائیل
صربستان
بيلوروسي
هلند
سوئد
مونته نگرو
باسک
ایسلند
بوسنی
مجارستانی
رومانی
اتریش
بلژیک
ایرلند
آسیا / اقیانوسیه
چین
ویتنام
اندونزی
تایلند
لائوس
فیلیپینی
مالزی
کره
ژاپن
هنگ کنگ
تایوان
سنگاپور
پاکستان
عربستان سعودی
قطر
کویت
کامبوج
میانمار
آفریقا، هند و خاورمیانه
امارات متحده عربی
تاجیکستان
ماداگاسکار
هند
ایران
جمهوری دموکراتیک کنگو
آفریقای جنوبی
مصر
کنیا
تانزانیا
غنا
سنگال
مراکش
تونس
آمریکای جنوبی / اقیانوسیه
نیوزیلند
آنگولا
برزیل
موزامبیک
پرو
کلمبیا
شیلی
ونزوئلا
اکوادور
بولیوی
اروگوئه
آرژانتین
پاراگوئه
استرالیا
آمریکای شمالی
ایالات متحده
هائیتی
کانادا
کاستاریکا
مکزیک
درباره DiGi
درباره ما
درباره ما
گواهینامههای ما
DiGi مقدمه
چرا DiGi
سیاست
سیاست کیفیت
شرایط استفاده
مطابقت با RoHS
فرآیند بازگشت
منابع
دسته بندی محصولات
تولیدکنندگان
وبلاگها و پستها
خدمات
ضمانت کیفیت
روش پرداخت
حمل و نقل جهانی
نرخ های حمل و نقل
سوالات متداول
شماره محصول سازنده:
IPA60R1K0CEXKSA1
Product Overview
تولید کننده:
Infineon Technologies
شماره قطعه:
IPA60R1K0CEXKSA1-DG
توضیحات:
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO220
شرح مفصل:
N-Channel 600 V 6.8A (Tc) 26W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
موجودی:
469 تعداد قطعات جدید اورجینال در انبار
12845858
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
*
شرکت
*
نام تماس
*
تلفن
*
ایمیل
آدرس تحویل
پیام
S
L
Y
u
(
*
) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال
IPA60R1K0CEXKSA1 مشخصات فنی
دستهبندی
ترانزیستورهای اثر میدان، MOSFETها, ترانزیستورهای تک، مو سفت
تولید کننده
Infineon Technologies
بسته بندی
Tube
سری
CoolMOS™
وضعیت محصول
Active
نوع FET
N-Channel
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع جلدtage (Vdss)
600 V
جریان - تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 °C
6.8A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
10V
Rds روشن (حداکثر) @ شناسه، Vgs
1Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه
3.5V @ 130µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (حداکثر)
±20V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
280 pF @ 100 V
ویژگی FET
-
اتلاف برق (حداکثر)
26W (Tc)
دمای عملیاتی
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب
Through Hole
بسته دستگاه تامین کننده
PG-TO220-FP
بسته بندی / مورد
TO-220-3 Full Pack
شماره محصول پایه
IPA60R1
برگ اطلاعات و مستندات
برگههای اطلاعاتی
IPA60R1K0CEXKSA1
برگه داده HTML
IPA60R1K0CEXKSA1-DG
برگه های داده
IPA60R1K0CE
اطلاعات بیشتر
نام های دیگر
SP001429478
448-IPA60R1K0CEXKSA1
IPA60R1K0CEXKSA1-DG
بسته استاندارد
500
طبقهبندی زیستمحیطی و صادرات
وضعیت RoHS
ROHS3 Compliant
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
1 (Unlimited)
وضعیت REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
مدلهای جایگزین
شماره قسمت
STP6NK60ZFP
تولیدکننده
STMicroelectronics
تعداد موجود
875
DiGi شماره قطعه
STP6NK60ZFP-DG
قیمت واحد
1.05
نوع جایگزین
MFR Recommended
شماره قسمت
TK7A65D(STA4,Q,M)
تولیدکننده
Toshiba Semiconductor and Storage
تعداد موجود
45
DiGi شماره قطعه
TK7A65D(STA4,Q,M)-DG
قیمت واحد
0.84
نوع جایگزین
MFR Recommended
شماره قسمت
STF10N65K3
تولیدکننده
STMicroelectronics
تعداد موجود
952
DiGi شماره قطعه
STF10N65K3-DG
قیمت واحد
0.66
نوع جایگزین
MFR Recommended
شماره قسمت
FQPF7N60
تولیدکننده
onsemi
تعداد موجود
21
DiGi شماره قطعه
FQPF7N60-DG
قیمت واحد
2.17
نوع جایگزین
MFR Recommended
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
NTD4857NA-1G
MOSFET N-CH 25V 12A/78A IPAK
AOTF5N100
MOSFET N-CH 1000V 4A TO220-3F
FDB42AN15A0
MOSFET N-CH 150V 5A/35A TO263AB
FDA16N50
MOSFET N-CH 500V 16.5A TO3PN