خانه
محصولات
تولیدکنندگان
درباره DiGi
با ما تماس بگیرید
وبلاگها و پستها
استعلام/نقل قول
Iran
ورود
زبان انتخابی
زبان جاری انتخابی شما
Iran
تبدیل:
انگلیسی
اروپا
بریتانیا
فرانسه
اسپانیا
ترکیه
مولدووا
لیتوانی
نروژ
آلمان
پرتغال
اسلواکی
ltaly
فنلاند
روسی
بلغارستان
دانمارک
استونی
لهستان
اوکراين
اسلوونی
چک
یونانی
کرواسی
اسرائیل
صربستان
بيلوروسي
هلند
سوئد
مونته نگرو
باسک
ایسلند
بوسنی
مجارستانی
رومانی
اتریش
بلژیک
ایرلند
آسیا / اقیانوسیه
چین
ویتنام
اندونزی
تایلند
لائوس
فیلیپینی
مالزی
کره
ژاپن
هنگ کنگ
تایوان
سنگاپور
پاکستان
عربستان سعودی
قطر
کویت
کامبوج
میانمار
آفریقا، هند و خاورمیانه
امارات متحده عربی
تاجیکستان
ماداگاسکار
هند
ایران
جمهوری دموکراتیک کنگو
آفریقای جنوبی
مصر
کنیا
تانزانیا
غنا
سنگال
مراکش
تونس
آمریکای جنوبی / اقیانوسیه
نیوزیلند
آنگولا
برزیل
موزامبیک
پرو
کلمبیا
شیلی
ونزوئلا
اکوادور
بولیوی
اروگوئه
آرژانتین
پاراگوئه
استرالیا
آمریکای شمالی
ایالات متحده
هائیتی
کانادا
کاستاریکا
مکزیک
درباره DiGi
درباره ما
درباره ما
گواهینامههای ما
DiGi مقدمه
چرا DiGi
سیاست
سیاست کیفیت
شرایط استفاده
مطابقت با RoHS
فرآیند بازگشت
منابع
دسته بندی محصولات
تولیدکنندگان
وبلاگها و پستها
خدمات
ضمانت کیفیت
روش پرداخت
حمل و نقل جهانی
نرخ های حمل و نقل
سوالات متداول
شماره محصول سازنده:
BSS7728NH6327XTSA2
Product Overview
تولید کننده:
Infineon Technologies
شماره قطعه:
BSS7728NH6327XTSA2-DG
توضیحات:
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
شرح مفصل:
N-Channel 60 V 200mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
موجودی:
9347 تعداد قطعات جدید اورجینال در انبار
12799035
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
*
شرکت
*
نام تماس
*
تلفن
*
ایمیل
آدرس تحویل
پیام
0
O
0
W
(
*
) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال
BSS7728NH6327XTSA2 مشخصات فنی
دستهبندی
ترانزیستورهای اثر میدان، MOSFETها, ترانزیستورهای تک، مو سفت
تولید کننده
Infineon Technologies
بسته بندی
Tape & Reel (TR)
سری
SIPMOS®
وضعیت محصول
Obsolete
نوع FET
N-Channel
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع جلدtage (Vdss)
60 V
جریان - تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 °C
200mA (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
4.5V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ شناسه، Vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه
2.3V @ 26µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs
1.5 nC @ 10 V
Vgs (حداکثر)
±20V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
56 pF @ 25 V
ویژگی FET
-
اتلاف برق (حداکثر)
360mW (Ta)
دمای عملیاتی
-55°C ~ 150°C (TJ)
درجه
Automotive
صلاحیت
AEC-Q101
نوع نصب
Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده
PG-SOT23
بسته بندی / مورد
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
شماره محصول پایه
BSS7728
برگ اطلاعات و مستندات
برگههای اطلاعاتی
BSS7728NH6327XTSA2
برگه داده HTML
BSS7728NH6327XTSA2-DG
برگه های داده
BSS7728N
اطلاعات بیشتر
نام های دیگر
BSS7728NH6327XTSA2TR
SP000929184
IFEINFBSS7728NH6327XTSA2
BSS7728NH6327XTSA2-DG
2156-BSS7728NH6327XTSA2
BSS7728NH6327XTSA2CT
BSS7728NH6327XTSA2DKR
بسته استاندارد
3,000
طبقهبندی زیستمحیطی و صادرات
وضعیت RoHS
ROHS3 Compliant
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
1 (Unlimited)
وضعیت REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
مدلهای جایگزین
شماره قسمت
2N7002AQ-13
تولیدکننده
Diodes Incorporated
تعداد موجود
7295
DiGi شماره قطعه
2N7002AQ-13-DG
قیمت واحد
0.03
نوع جایگزین
Direct
شماره قسمت
NX138AKR
تولیدکننده
Nexperia USA Inc.
تعداد موجود
51878
DiGi شماره قطعه
NX138AKR-DG
قیمت واحد
0.02
نوع جایگزین
MFR Recommended
شماره قسمت
SN7002NH6327XTSA2
تولیدکننده
Infineon Technologies
تعداد موجود
873
DiGi شماره قطعه
SN7002NH6327XTSA2-DG
قیمت واحد
0.04
نوع جایگزین
MFR Recommended
شماره قسمت
MMBF170-7-F
تولیدکننده
Diodes Incorporated
تعداد موجود
257219
DiGi شماره قطعه
MMBF170-7-F-DG
قیمت واحد
0.04
نوع جایگزین
MFR Recommended
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
BSP149H6327XTSA1
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
BSC350N20NSFDATMA1
MOSFET N-CH 200V 35A TDSON-8-1
BSC22DN20NS3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 7A TDSON-8-5
BTS282ZE3230AKSA2
MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7