BSC265N10LSFGATMA1
شماره محصول سازنده:

BSC265N10LSFGATMA1

Product Overview

تولید کننده:

Infineon Technologies

شماره قطعه:

BSC265N10LSFGATMA1-DG

توضیحات:

MOSFET N-CH 100V 6.5A/40A TDSON
شرح مفصل:
N-Channel 100 V 6.5A (Ta), 40A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1

موجودی:

13914 تعداد قطعات جدید اورجینال در انبار
13063880
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
num_del num_add
*
*
*
*
EZFu
(*) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال

BSC265N10LSFGATMA1 مشخصات فنی

دسته‌بندی
ترانزیستورهای اثر میدان، MOSFETها, ترانزیستورهای تک، مو سفت
تولید کننده
Infineon Technologies
بسته بندی
Tape & Reel (TR)
سری
OptiMOS™
بسته بندی
Tape & Reel (TR)
وضعیت قطعه
Active
نوع FET
N-Channel
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع جلدtage (Vdss)
100 V
جریان - تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 °C
6.5A (Ta), 40A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
4.5V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ شناسه، Vgs
26.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه
2.4V @ 43µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (حداکثر)
±20V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
1600 pF @ 50 V
ویژگی FET
-
اتلاف برق (حداکثر)
78W (Tc)
دمای عملیاتی
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب
Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده
PG-TDSON-8-1
بسته بندی / مورد
8-PowerTDFN
شماره محصول پایه
BSC265

برگ اطلاعات و مستندات

برگه‌های اطلاعاتی
برگه داده HTML
برگه های داده

اطلاعات بیشتر

نام های دیگر
SP000379618
BSC265N10LSFGATMA1TR
BSC265N10LSFGATMA1CT
BSC265N10LSFGATMA1DKR
BSC265N10LSF G-ND
BSC265N10LSF G
بسته استاندارد
5,000

طبقه‌بندی زیست‌محیطی و صادرات

وضعیت RoHS
ROHS3 Compliant
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
1 (Unlimited)
وضعیت REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
infineon-technologies

BUZ80A

MOSFET N-CH 800V 3.6A TO220AB

infineon-technologies

BSS84PW

MOSFET P-CH 60V 150MA SOT323-3

infineon-technologies

BSS138WH6433XTMA1

MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3

infineon-technologies

BSZ018NE2LSATMA1

MOSFET N-CH 25V 23A/40A TSDSON