شماره محصول سازنده:
BSC265N10LSFGATMA1
Product Overview
تولید کننده:
Infineon Technologies
شماره قطعه:
BSC265N10LSFGATMA1-DG
توضیحات:
MOSFET N-CH 100V 6.5A/40A TDSON
شرح مفصل:
N-Channel 100 V 6.5A (Ta), 40A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
موجودی:
13914 تعداد قطعات جدید اورجینال در انبار
13063880
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
حداقل ۱
3ank
(*) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال
BSC265N10LSFGATMA1 مشخصات فنی
دسته‌بندی
ترانزیستورهای اثر میدان، MOSFETها, ترانزیستورهای تک، مو سفت
تولید کننده
Infineon Technologies
بسته بندی
Tape & Reel (TR)
سری
OptiMOS™
بسته بندی
Tape & Reel (TR)
وضعیت قطعه
Active
نوع FET
N-Channel
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع جلدtage (Vdss)
100 V
جریان - تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 °C
6.5A (Ta), 40A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
4.5V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ شناسه، Vgs
26.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه
2.4V @ 43µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (حداکثر)
±20V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
1600 pF @ 50 V
ویژگی FET
-
اتلاف برق (حداکثر)
78W (Tc)
دمای عملیاتی
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب
Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده
PG-TDSON-8-1
بسته بندی / مورد
8-PowerTDFN
شماره محصول پایه
BSC265
برگ اطلاعات و مستندات
برگه‌های اطلاعاتی
برگه داده HTML
برگه های داده
اطلاعات بیشتر
نام های دیگر
SP000379618
BSC265N10LSFGATMA1TR
BSC265N10LSFGATMA1CT
BSC265N10LSFGATMA1DKR
BSC265N10LSF G-ND
BSC265N10LSF G
بسته استاندارد
5,000
طبقه‌بندی زیست‌محیطی و صادرات
وضعیت RoHS
ROHS3 Compliant
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
1 (Unlimited)
وضعیت REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
BUZ80A
MOSFET N-CH 800V 3.6A TO220AB
BSS84PW
MOSFET P-CH 60V 150MA SOT323-3
BSS138WH6433XTMA1
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3
