شماره محصول سازنده:
GPIHV7DK
Product Overview
تولید کننده:
GaNPower
شماره قطعه:
GPIHV7DK-DG
توضیحات:
GaNFET N-CH 1200V 7A TO252
شرح مفصل:
N-Channel 1200 V 7A Surface Mount
موجودی:
467 تعداد قطعات جدید اورجینال در انبار
12976582
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
حداقل ۱
R3BB
(*) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال
GPIHV7DK مشخصات فنی
دسته‌بندی
ترانزیستورهای اثر میدان، MOSFETها, ترانزیستورهای تک، مو سفت
تولید کننده
GaNPower
بسته بندی
Tape & Reel (TR)
سری
-
وضعیت محصول
Active
نوع FET
N-Channel
فناوری
GaNFET (Gallium Nitride)
تخلیه به منبع جلدtage (Vdss)
1200 V
جریان - تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 °C
7A
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
6V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه
1.7V @ 3.5mA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs
3.1 nC @ 6 V
Vgs (حداکثر)
+7.5V, -12V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
90 pF @ 700 V
دمای عملیاتی
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب
Surface Mount
برگ اطلاعات و مستندات
برگه های داده
اطلاعات بیشتر
نام های دیگر
4025-GPIHV7DKTR
بسته استاندارد
1
طبقه‌بندی زیست‌محیطی و صادرات
وضعیت RoHS
RoHS Compliant
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
3 (168 Hours)
وضعیت REACH
REACH Unaffected
ECCN
3A001
HTSUS
8541.49.7000
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
IPLK60R1K0PFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 5.2A THIN-PAK
TKR74F04PB,LXGQ
MOSFET N-CH 40V 250A TO220SM
RJK5030DPD-03#J2
RJK5030DPD - N CHANNEL MOSFET
