خانه
محصولات
تولیدکنندگان
درباره DiGi
با ما تماس بگیرید
وبلاگها و پستها
استعلام/نقل قول
Iran
ورود
زبان انتخابی
زبان جاری انتخابی شما
Iran
تبدیل:
انگلیسی
اروپا
بریتانیا
فرانسه
اسپانیا
ترکیه
مولدووا
لیتوانی
نروژ
آلمان
پرتغال
اسلواکی
ltaly
فنلاند
روسی
بلغارستان
دانمارک
استونی
لهستان
اوکراين
اسلوونی
چک
یونانی
کرواسی
اسرائیل
صربستان
بيلوروسي
هلند
سوئد
مونته نگرو
باسک
ایسلند
بوسنی
مجارستانی
رومانی
اتریش
بلژیک
ایرلند
آسیا / اقیانوسیه
چین
ویتنام
اندونزی
تایلند
لائوس
فیلیپینی
مالزی
کره
ژاپن
هنگ کنگ
تایوان
سنگاپور
پاکستان
عربستان سعودی
قطر
کویت
کامبوج
میانمار
آفریقا، هند و خاورمیانه
امارات متحده عربی
تاجیکستان
ماداگاسکار
هند
ایران
جمهوری دموکراتیک کنگو
آفریقای جنوبی
مصر
کنیا
تانزانیا
غنا
سنگال
مراکش
تونس
آمریکای جنوبی / اقیانوسیه
نیوزیلند
آنگولا
برزیل
موزامبیک
پرو
کلمبیا
شیلی
ونزوئلا
اکوادور
بولیوی
اروگوئه
آرژانتین
پاراگوئه
استرالیا
آمریکای شمالی
ایالات متحده
هائیتی
کانادا
کاستاریکا
مکزیک
درباره DiGi
درباره ما
درباره ما
گواهینامههای ما
DiGi مقدمه
چرا DiGi
سیاست
سیاست کیفیت
شرایط استفاده
مطابقت با RoHS
فرآیند بازگشت
منابع
دسته بندی محصولات
تولیدکنندگان
وبلاگها و پستها
خدمات
ضمانت کیفیت
روش پرداخت
حمل و نقل جهانی
نرخ های حمل و نقل
سوالات متداول
شماره محصول سازنده:
DMG9N65CT
Product Overview
تولید کننده:
Diodes Incorporated
شماره قطعه:
DMG9N65CT-DG
توضیحات:
MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB
شرح مفصل:
N-Channel 650 V 9A (Tc) 165W (Tc) Through Hole TO-220-3
موجودی:
استعلام قیمت آنلاین
12888744
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
*
شرکت
*
نام تماس
*
تلفن
*
ایمیل
آدرس تحویل
پیام
2
5
A
i
(
*
) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال
DMG9N65CT مشخصات فنی
دستهبندی
ترانزیستورهای اثر میدان، MOSFETها, ترانزیستورهای تک، مو سفت
تولید کننده
Diodes Incorporated
بسته بندی
-
سری
-
وضعیت محصول
Obsolete
نوع FET
N-Channel
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع جلدtage (Vdss)
650 V
جریان - تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 °C
9A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
10V
Rds روشن (حداکثر) @ شناسه، Vgs
1.3Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه
5V @ 250µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (حداکثر)
±30V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
2310 pF @ 25 V
ویژگی FET
-
اتلاف برق (حداکثر)
165W (Tc)
دمای عملیاتی
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب
Through Hole
بسته دستگاه تامین کننده
TO-220-3
بسته بندی / مورد
TO-220-3
شماره محصول پایه
DMG9
اطلاعات بیشتر
نام های دیگر
DMG9N65CTDI
بسته استاندارد
50
طبقهبندی زیستمحیطی و صادرات
وضعیت RoHS
ROHS3 Compliant
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
1 (Unlimited)
وضعیت REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
مدلهای جایگزین
شماره قسمت
STP5NK60Z
تولیدکننده
STMicroelectronics
تعداد موجود
1103
DiGi شماره قطعه
STP5NK60Z-DG
قیمت واحد
0.80
نوع جایگزین
MFR Recommended
شماره قسمت
STP9NK65Z
تولیدکننده
STMicroelectronics
تعداد موجود
0
DiGi شماره قطعه
STP9NK65Z-DG
قیمت واحد
1.54
نوع جایگزین
MFR Recommended
شماره قسمت
IXFP7N80PM
تولیدکننده
IXYS
تعداد موجود
0
DiGi شماره قطعه
IXFP7N80PM-DG
قیمت واحد
4.60
نوع جایگزین
MFR Recommended
شماره قسمت
IRF830PBF
تولیدکننده
Vishay Siliconix
تعداد موجود
9086
DiGi شماره قطعه
IRF830PBF-DG
قیمت واحد
0.53
نوع جایگزین
MFR Recommended
شماره قسمت
STP7NK80Z
تولیدکننده
STMicroelectronics
تعداد موجود
995
DiGi شماره قطعه
STP7NK80Z-DG
قیمت واحد
1.21
نوع جایگزین
MFR Recommended
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
DMG3402LQ-13
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
DMP32D4SW-7
MOSFET P-CH 30V 250MA SOT323
DMN65D8LQ-13
MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
DMP1055USW-7
MOSFET P-CH 12V 3.8A SOT363