شماره محصول سازنده:
DMG4N60SCT
Product Overview
تولید کننده:
Diodes Incorporated
شماره قطعه:
DMG4N60SCT-DG
توضیحات:
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220AB
شرح مفصل:
N-Channel 600 V 4.5A (Ta) 113W (Ta) Through Hole TO-220-3
موجودی:
12891714
درخواست قیمت
تعداد
حداقل ۱
حداقل ۱
28cG
(*) اجباری است
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ما ظرف ۲۴ ساعت با شما تماس خواهیم گرفت
ارسال
DMG4N60SCT مشخصات فنی
دسته‌بندی
ترانزیستورهای اثر میدان، MOSFETها, ترانزیستورهای تک، مو سفت
تولید کننده
Diodes Incorporated
بسته بندی
-
سری
-
وضعیت محصول
Obsolete
نوع FET
N-Channel
فناوری
MOSFET (Metal Oxide)
تخلیه به منبع جلدtage (Vdss)
600 V
جریان - تخلیه مداوم (شناسه) @ 25 °C
4.5A (Ta)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)
10V
Rds روشن (حداکثر) @ شناسه، Vgs
2.5Ohm @ 2A, 10V
Vgs (هفتم) (حداکثر) @ شناسه
4.5V @ 250µA
شارژ گیت (Qg) (حداکثر) @ Vgs
14.3 nC @ 10 V
Vgs (حداکثر)
±30V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds
532 pF @ 25 V
ویژگی FET
-
اتلاف برق (حداکثر)
113W (Ta)
دمای عملیاتی
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب
Through Hole
بسته دستگاه تامین کننده
TO-220-3
بسته بندی / مورد
TO-220-3
شماره محصول پایه
DMG4
اطلاعات بیشتر
بسته استاندارد
50
طبقه‌بندی زیست‌محیطی و صادرات
وضعیت RoHS
ROHS3 Compliant
سطح حساسیت به رطوبت (MSL)
1 (Unlimited)
وضعیت REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
مدل‌های جایگزین
شماره قسمت
AOT4N60
تولیدکننده
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
تعداد موجود
423
DiGi شماره قطعه
AOT4N60-DG
قیمت واحد
0.35
نوع جایگزین
MFR Recommended
شماره قسمت
FQP6N80C
تولیدکننده
onsemi
تعداد موجود
344
DiGi شماره قطعه
FQP6N80C-DG
قیمت واحد
0.93
نوع جایگزین
MFR Recommended
شماره قسمت
STP4NK60Z
تولیدکننده
STMicroelectronics
تعداد موجود
851
DiGi شماره قطعه
STP4NK60Z-DG
قیمت واحد
0.65
نوع جایگزین
MFR Recommended
گواهی دیجیتال
محصولات مرتبط
DMN3016LFDF-13
MOSFET N-CH 30V 12A 6UDFN
DMN3010LK3-13
MOSFET N-CH 30V 13.1A/43A TO252
SSM3K15ACTC,L3F
MOSFET N-CH 30V 100MA CST3C
